De la DDR2 low latency chez G.Skill

G.Skill a annoncé hier le lancement d’une nouvelle série de barrette mémoire disposant de très faibles temps de latence. D’après leur communiqué de presse, G.Skill serait donc le premier constructeur à lancer de la DDR2-800 en 4-4-3-5. 

Pour mieux comprendre, voici un petit rappel sur l’ordre dans lequel les fabriquants de mémoire communiquent leurs timings en s’appuyant sur l’exemple de cette mémoire: 4 (CL), 4 (TRCD), 3 (TRP), 5 (TRAS)

La valeur 5 est la plus surprenante car il s’agit du tRAS que nous avons plutôt l’habitude de voir osciller entre 10 et 15 selon les marques et les modules de mémoire. Il s’agit du nombre de cycles d’horloge nécessaires pour accèder à une ligne d’informations stockées dans la mémoire. La mémoire fonctionnant comme une matrice où l’on doit indiquer la ligne puis la rangéée dans laquelle est l’information, plus ce timing est bas, plus la mémoire est performante. Il en est de même pour les autres timings.

La deuxième valeur à retenir, c’est le CL (Cas Latency) ou CAS (Column Address Strobe) qui est fixé à 4. Il s’agit du nombre de cycle nécessaire entre la commande de lecture de l’information stockée en mémoire et la réception effective de celle-ci. Ce n’est par contre pas la première fois qu’un module de mémoire est proposé avec un CL de 4. Mais cela reste réservé au module haut de gamme.

Pour information le RAS to CAS delay appelé aussi tRCD correspond au nombre de cycles nécessaires pour passer d’une ligne à une colone. Enfin le RAS Precharge Time appelé aussi tRP correspond au nombre de cycles nécessaires entre deux commandes RAS. Cela correspond donc au  nombre de cycle nécessaire pour passer d’une ligne à une autre. 

Pour en revenir à la DDR2-800 de G.Skill, sachez que celle-ci nécessite une tension de 2 à 2.1v et qu’elle est uniquement disponible en module de 1Go soit à l’unité soit en kit dual channel. Le prix n’a pas encore été communiqué.