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AMD et IBM: gravure en 45nm pour mi-2008

Actualité publiée par webmaster le Lundi 18 Dcembre 2006

A l’occasion du forum IEDM (International Electron Device Meeting), IBM et AMD ont prsent leur projet portant sur l’utilisation d’une lithogravure en immersion, des dilectriques d’interconnexion ultra-low k et de plusieurs technologies de contrainte de transistors perfectionnes destines la fabrication de microprocesseurs gravs en 45 nm. Selon AMD et IBM, les premiers produits raliss dans cette technologie devraient tre disponibles d’ici mi-2008.

Nous sommes les premiers fabricants de microprocesseurs annoncer l’utilisation des techniques de lithogravure en immersion et de dilectriques d’interconnexion ultra-low k pour la technologie de 45 nm et demeurons ce titre la pointe de l’innovation pour la technologie de fabrication de microprocesseurs , confie Nick Kepler, Vice-prsident, Logic Technology Development d’AMD. La lithogravure en immersion nous permet d’amliorer la dfinition de la conception des microprocesseurs et d’homogniser leur fabrication, ce qui nous permettra de fournir nos clients des produits extrmement sophistiqus. Les dilectriques d’interconnexion ultra-low k amlioreront le rapport performances/watt dont bnficient nos microprocesseurs et l’ensemble de nos clients. Cette annonce confirme un partenariat fort, nou entre IBM et AMD dans le domaine de la recherche et du dveloppement .

La technologie actuelle de fabrication utilise un procd de lithogravure classique, extrmement limit dans la dfinition du design des microprocesseurs au-del de 65 nm. La lithogravure en immersion utilise un liquide transparent pour remplir les espaces entre la lentille optique de projection utilise dans le systme de lithogravure rptition (step-and-repeat) et la tranche de silicium qui contient des centaines de microprocesseurs. Cette perce majeure dans le domaine de la lithogravure assure une prcision accrue et une fidlit d’image suprieure qui amliorent les performances du circuit et de la productivit. Cette technique d’immersion apportera AMD et IBM des avantages en termes de fabrication par rapport aux entreprises concurrentes qui ne sont pas en mesure de dvelopper un processus de lithogravure en immersion oprationnel pour produire des microprocesseurs en traits de 45 nm. titre d’exemple, les performances d’une cellule SRAM enregistrent une amlioration d’environ 15% grce cette nouvelle technologie, sans recourir aux techniques de double exposition nettement plus onreuses.

De plus, l’utilisation de dilectriques poreux ultra-low k pour rduire la capacit des interconnexions et le dlai de transport des lectrons constitue une tape majeure pour l’amlioration des performances des microprocesseurs, ainsi que pour rduire la dissipation de puissance. Cette amlioration est obtenue grce l’intgration du processus ultra-low k qui rduit la constante dilectrique des dilectriques d’interconnexion tout en maintenant sa rsistance mcanique. L’utilisation d’interconnexions ultra-low k permet de rduire de 15% les dlais de transport des lectrons par rapport aux dilectriques low k classiques.

L’introduction de la lithogravure en immersion et de dilectriques d’interconnexion ultra-low k en technologie de 45 nm illustre le succs remport par les transferts de technologie raliss entre les recherches de pointe menes au Centre Nanotech d’Albany et la ligne de fabrication et de dveloppement 300 mm dont dispose IBM East Fishkill dans l’Etat de New York, ainsi que l’usine de fabrication 300 mm d’AMD Dresde en Allemagne , dclare Gary Patton, Vice-President, Technology Development, Semiconductor Research & Development Center d’IBM. L’intgration de technologies de pointe avec AMD et nos partenaires dmontre la puissance de notre modle d’innovation bas sur la collaboration .

Les progrs permanents enregistrs par les techniques de contrainte de transistors d’AMD et d’IBM ont permis d’amliorer de faon rgulire les performances des transistors tout en surmontant les problmes d’volutivit lis aux gomtries utilises lors de la migration vers les filires de 45 nm. Malgr l’augmentation de la densit des transistors de gnration 45 nm, IBM et AMD ont enregistr une augmentation de 80% du courant de commande des transistors par canal P et de 24% du courant de commande des transistors par canal N par rapport aux transistors non contraints. Ce rsultat assure les performances CMOS les plus leves obtenues ce jour en technologie de 45 nm.

IBM et AMD collaborent au dveloppement de technologies de fabrication de semiconducteurs de nouvelle gnration depuis janvier 2003. En novembre 2005, les deux socits ont annonc l’extension de leur programme de dveloppement joint jusqu’ 2011, englobant les technologies de fabrication en traits de 32 et de 22 nm.

Source: communiqu de presse

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