Intel Penryn 45nm: plus de transistors !

Intel vient de dévoiler ce matin de nouvelles informations au sujet de son procédé de gravure en 45nm qui permettra de fabriquer le Penryn. Il s’agit du nom de code de la prochaine génération de processeurs Core 2 Duo, Core 2 Quad et Xeon du célébre fondeur de Santa Clara.

Avant toute chose, Il est bon de rappeler qu’Intel a pris une avance impressionante sur ces concurrents à ce sujet. AMD par exemple commercialise depuis peu ces processeurs en 65nm et ne pense pas proposer de processeur 45nm avant la mi-2008 alors que de son côté, Intel aurait plus de 15 produits basés sur le 45nm à l’étude que l’on retrouvera avant la fin 2007 dans des ordinateurs de bureau, des produits mobiles, et des serveurs pour entreprises. Ces processeurs seront évidemment plus rapides que la génération actuelle et amenront un leur lot de nouveautés comme par exemple, 50 nouvelles instructions SSE4. Un certain nombre de puces seraient déjà fonctionnelles d’après Intel.

Pour en revenir à l’annonce d’Intel, celle-concerne la technique qui a permis de réduire la taille des transistors qui intègrent les processeurs Penryn gravés en 45nm. Cette réduction permettra soit de mettre plus de processeurs sur un  même waffer afin de réduire les coût de fabrication, soit d’augmenter considérablement le nombre de transistors embarqués dans une puce. Ci-dessous, le die d’un processeur Penryn pourvu de 410 millions de transistors le tout sur 110 mm² seulement.  

Processeur Penryn avec 6Mo de cache. 

Pour réaliser des tranistors toujours plus petits et performants, Intel a donc revu la structure même des transistors tout en diminuant les fuites électriques. Pour cela Intel a remplacé le silicon par une grille métallique (Voir "metal gate" sur le schéma ci-dessous) et a utilisé un isolant à haute constante électrique diélectrique (Voir "high-k" sur le schéma ci-dessous).

A gauche un transistor standard et à droite un transistor revu par Intel

Selon Gordon Moore, co-fondateur d’Intel, cette inovation marque le plus grand changement de la technologie des transistor depuis depuis la fin des années 60...